在新能源及新一代通讯行业，随着微电子信息技术、大规模集成电路（LSI）、多芯片组件（MCM）和微机电系统（MENS）等技术的迅速发展，对电子整机的要求越来越高，这种要求越来越迫切，促使它们朝着微型化、便携式、高性能等方向发展。高密度集成是实现上述功能的最有效解决方案，高密度集成可以将各种电子设备复杂的功能集成到更小的组件中，而实现高密度集成的关键是解决元器件的散热问题。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展功率器件的技术瓶颈。

         以大功率LED封装为例，由于输入功率的70%~80%转变成为热量（只有约20%~30%转化为光能），且LED芯片面积小，器件功率密度很大（大于100W/cm²），因此散热成为大功率LED封装必须解决的关键问题。如果不能及时将芯片发热导出并消散，大量热量将聚集在LED内部，芯片结温将逐步升高，一方面使LED性能降低（如发光效率降低、波长红移），另一方面将在LED器件内部产生热应力，引发一系列可靠性问题（如使用寿命、色温变化等）。

         伴随着功率器件（包括LED、LD、IGBT、CPV等）不断发展，采用高导热材料制作电路基板是实现微电路散热的有效方法之一。

        目前陶瓷基板的主要材料以氧化铝（Al₂O₃）、氮化铝（AlN）和氮化硅（Si₃N₄）三类为主。氧化铝陶瓷基板价格低廉，生产工艺成熟，目前产量最大，应用面最广。但是，氧化铝陶瓷基板的导热性能已无法满足大功率芯片的散热要求。综合来看，氮化铝陶瓷基板与氮化硅陶瓷基板最具发展前景。

          陶瓷基板按照工艺主要分为DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。

          AMB陶瓷基板是DBC工艺的进一步发展，该工艺通过含有少量稀土元素的焊料来实现陶瓷基板与铜箔的连接，其键合强度高、可靠性好。

          AMB工艺生产的陶瓷基板主要运用在功率半导体模块上作为硅基、碳化基功率芯片的基底，AMB技术实现了氮化铝和氮化硅陶瓷与铜片的覆接，相比DBC衬板有更优的热导率、铜层结合力、可靠性等，可大幅提高陶瓷衬板可靠性，更适合大功率大电流的应用场景，逐步成为中高端IGBT模块散热电路板的主要应用类型。

          此外，由于AMB氮化硅基板有较高热导率，可将非常厚的铜金属（厚度可达0.8mm）焊接到相对薄的氮化硅陶瓷上，载流能力较高。且氮化硅陶瓷基板的热膨胀系数与第三代半导体衬底SiC晶体接近，使其能够与SiC晶体材料匹配更稳定，因此成为SiC半导体导热基板材料首选，特别在800V以上高端新能源汽车中应用中不可或缺。

      小米、华为、比亚迪直接入股陶瓷基板企业或是陶瓷粉体企业来看，他们很可能正在加快各自供应链的完善脚步，这也从侧面证实了陶瓷基板正是这些通讯、新能源汽车等领域的大哥们都极其重视的关键部件。